温度センサー

温度センサーラインナップ

セラミックスの薄膜抵抗センサーです。このセンサーは温度応答時間が速く、また熱サイクルや強い磁場、放射線の照射といったストレスに高い耐性があります。また様々な形状のパッケージが用意されています。使用温度範囲は0.1K から325K です。HT セルノックスは特別に420K まで使用できるモデルです。

1.4K から500K の一般的な低温の実験に最適です。温度対出力電圧の特性が標準温度カーブに沿っているのでセンサー間の交換性があります。放射線中で使用する場合は他のセンサーをご検討下さい。

30K から800K の範囲で一定した感度を示します。70K 以上では標準温度カーブに沿うのでセンサー間の交換性があります。レイクショアでは独自に14K から校正したセンサーを用意しています。

磁場の影響を受けにくい、酸化ルテニウムグラス厚膜抵抗センサーです。4 種類のモデルの内、1 種類のモデルは10mKまで使用できます。

航空宇宙、超伝導リニアなど高い信頼性が要求される分野向けのセンサーです。振動・衝撃試験や寿命試験など多岐の試験を通過したセンサーをご提供できます。温度範囲は、20K ~ 420K です。

0.05K から30K の温度範囲で高い確度が得られます。いくつかのモデルは100K まで使用できます。放射線に対する耐性がありますが、磁場中での使用はお勧めしません。*詳細は弊社担当へお問い合わせください。

1.4K から500K の範囲で使用できます。シリコンダイオードより磁場の影響を受けにくく、また、より高い感度(25K 以下にて)を持ちます。このセンサーには校正が必要です。

磁場の影響を受けないので1K までの温度で強磁場下の温度コントロールに理想的なセンサーです。あらかじめゼロ磁場中で別のセンサーを使って温度を測定しておく必要があります。キャパシタンスセンサーはコントロールのみを目的として使用します。

  温度範囲 標準カーブ 真空中での使用 放射線中高真空の使用 磁場中の使用
高真空の使用
10-1 ~ 10-4Pa
超高真空
10-4 ~ 10-7Pa
極高真空
10-7 ~ 10-10Pa
セルノックス 0.1K ~ 325K0.1K ~ 420K(HT) × AA ベアチップ
SD
推奨 1K ≧ T における磁場中の使用に優れている。
SD パッケージのリード線は非磁性材料である。
シリコンダイオード 1.4K ~ 500K DT-670-SD 推奨していない T<60K、また60K > T でもB>5T の環境では推奨しない。SD パッケージのリード線は磁性材料である。
白金 14K ~ 873K PT-102
PT-103
推奨 やや磁場到来方向に対する依存性がある。T ≧ 30K のときのみ推奨している。
酸化ルテニウム 0.01K ~ 40K AA ベアチップ 推奨 磁場中での使用に優れている。
GaAlAs ダイオード 1.4K ~ 500K × TG-120-SD 推奨していない 比較的に磁場の影響が小さい。B<5T かつT ≧ 4.2T のときにdT/T(%)≦ 4% である。SD パッケージのリード線は非磁性材料である。
ゲルマニウム 0.05K ~ 100K × AA ベアチップ 推奨 磁場到来方向による影響を大きく受けるため低磁場以外での使用は推奨していない。
キャパシタンス 1.4K ~ 290K × CS-501 使用不可 制御用センサーとしての使用を推奨している。
熱電対 3.15K ~ 1543K 絶縁線 推奨していない T ≧ 10 のときに使用可能である。