更なるコンピューティングの性能向上のため、新しい原理に基づく量子コンピュータの開発が様々なアプローチから活発に進められています。量子コンピュータの中心的な部品となる量子デバイスの開発における、集積技術に優れるシリコン量子集積デバイスとその読み出し速度の高速化に寄与する極低温動作回路開発について、国立研究開発法人産業技術総合研究所（以下、産総研）　先端半導体研究センターの森貴洋博士と更田裕司博士に詳しくお話を伺いました。 ＊ご所属・肩書は取材当時のものです。

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更なるコンピューティングの性能向上のため、新しい原理に基づく量子コンピュータの開発が様々なアプローチから活発に進められています。量子コンピュータの中心的な部品となる量子デバイスの開発における、集積技術に優れるシリコン量子集積デバイスとその読み出し速度の高速化に寄与する極低温動作回路開発について、国立研究開発法人産業技術総合研究所（以下、産総研）　先端半導体研究センターの森貴洋博士と更田裕司博士に詳しくお話を伺いました。 ＊ご所属・肩書は取材当時のものです。

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半導体業界におけるSDGsの取り組みの一つとしてIT機器の更なる低消費電力化のために電力を消費せずに情報維持が可能な不揮発性メモリの開発が進められています。その技術の一つである磁気抵抗効果を用いたメモリ（MRAM）において消費電力の低減が可能なことで期待を集めている電圧制御方式（VC-MRAM）について、研究・開発を行われている国立研究開発法人産業技術総合研究所（産総研）新原理コンピューティング研究センターの研究チーム長 野崎隆行博士と研究員 山本竜也博士にご研究と評価技術について詳しくお話を伺いました。 ＊ご所属・肩書は取材当時のものです。

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半導体業界におけるSDGsの取り組みの一つとしてIT機器の更なる低消費電力化のために電力を消費せずに情報維持が可能な不揮発性メモリの開発が進められています。その技術の一つである磁気抵抗効果を用いたメモリ（MRAM）において消費電力の低減が可能なことで期待を集めている電圧制御方式（VC-MRAM）について、研究・開発を行われている国立研究開発法人産業技術総合研究所（産総研）新原理コンピューティング研究センターの研究チーム長 野崎隆行博士と研究員 山本竜也博士にご研究と評価技術について詳しくお話を伺いました。 ＊ご所属・肩書は取材当時のものです。

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半導体業界におけるSDGsの取り組みの一つとしてIT機器の更なる低消費電力化のために電力を消費せずに情報維持が可能な不揮発性メモリの開発が進められています。その技術の一つである磁気抵抗効果を用いたメモリ（MRAM）において消費電力の低減が可能なことで期待を集めている電圧制御方式（VC-MRAM）について、研究・開発を行われている国立研究開発法人産業技術総合研究所（産総研）新原理コンピューティング研究センターの研究チーム長 野崎隆行博士と研究員 山本竜也博士にご研究と評価技術について詳しくお話を伺いました。 ＊ご所属・肩書は取材当時のものです。

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ナノインデンテーション装置(ナノインデンター)は試料の表面や局所的な硬さや弾性率を求める装置です。電池系材料を電解液中で測定したり、ナノインデンターをグローブボックスやドライルーム内に設置して測定を行ったりするニーズも高まっております。

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車両の電動化や、脱炭素社会実現のキーデバイスである全固体電池。固体電池研究の第一人者である、国立研究開発法人物質・材料研究機構(NIMS) エネルギー・環境研究拠点 拠点長の高田和典氏に全固体電池実用化に向けた課題、今後の展望についてお伺いしました。(東陽テクニカルマガジン32号の記事に移動します)

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リチウム硫黄電池は民生用リチウムイオン電池を超える理論エネルギー密度を持ち、ポスト・リチウムイオン電池として注目が集まっています。SDGsの達成、脱炭素社会の実現に向けて、リチウム硫黄電池研究の第一人者であり、イオン液体を用いたリチウムイオン電池の動作を世界で初めて成功させた関西大学 化学生命工学部 教授の石川正司氏に次世代電池の現状と今後の展望についてお伺いしました。(東陽テクニカルマガジン32号の記事に移動します)

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高性能・高品質の太陽電池は、脱炭素社会の構築に欠かせないものとなりました。なかでも、次世代型として注目されるペロブスカイト太陽電池は、いままでの太陽電池では不可能な場所にも設置可能で、多くの用途が期待されています。 今回はペロブスカイト太陽電池の生みの親で、光エレクトロニクス関連で優れた業績を上げた研究者に贈られる、イギリスのランク財団の賞を2021年9月に受けた、桐蔭横浜大学 医用工学部 特任教授 宮坂力氏に、国内海外を問わず話題の同電池について、お話を伺いました。(東陽テクニカルマガジン32号の記事に移動します)

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ナノインデンターを用いた材料のひずみ速度感受性を評価するための手法をご紹介します。

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高ひずみ速度における材料特性評価を行うためのインパクト試験をご紹介します。

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生体材料や液中の高分子材料といった軟質な材料は、筋肉や細胞の研究といった医学的な側面から圧力センサーなどの保護膜として用いるシリコーンゲルや溶液中のリチウムイオン電池のバインダーフィルムのような工業的な分野まで、非常に多くの場所で活用されています。こうした材料は粘性的な特性を持ち、その流動性やしなやかさをうまくコントロールすることで実用上の不具合を無くす取り組みがなされております。 このページでは従来インデンテーション装置では測定が難しかった、弾性率がkPaオーダーのサンプル特性評価事例を紹介します。

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高温加熱インデンターによる材料評価手法をご紹介します

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ナノインデンターでフラットパンチ圧子を用いて、ミクロスケールにおける純チタンの応力-ひずみ曲線を取得し、降伏応力を測定しました。

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SiC（炭化ケイ素）を用いたパワーデバイス（電力用半導体素子）の研究に長年にわたって取り組まれている、国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 主任研究員の吉岡裕典博士に、ご研究と実験に使用した極低温プローバに求められていることについて詳しくお話を伺いました。

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長年ResiTest8300を使用しワイドバンドギャップ半導体をはじめ様々な材料評価を行ってきた 国立研究開発法人 物質･材料研究機構　機能性材料研究拠点長 大橋直樹氏にResiTest8300の使い勝手と、 今後の半導体研究に対する展望とそれに向けた物質・材料研究機構の取り組みについて詳しく話を聞いた。

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タイヤ、バインダー、バッテリー、スピーカー、および建設用途などで幅広く使用されているSBR(スチレンブタジエンゴム)に対して、冷却下での動的粘弾性特性をナノインデンターを用いて取得しました。

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ナノインデンターは局所領域の硬度・ヤング率を測定することが可能です。熱サイクルを加えた溶射膜の断面に対し、多点押し込み試験を行うことにより、統計的に溶射膜の機械特性の変化を捉えることが可能です。

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この研究では、ナノインデンテーションを使用して、シリコン上の2つの名目上同様の低誘電率（low-k）膜の機械的特性を測定しました。膜厚は196 nmと478 nmです。基板の影響を取り除く手法を用いています。

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CHAdeMOは、電気自動車(EV)用DC充電規格の一つです。規格を策定・普及するCHAdeMO協議会の取り組みや今後のエネルギー社会の動向について紹介します。

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