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- ・8600型VSMを用いた温度可変微小モーメント測定
- ・温度可変・4探針シート抵抗測定
- ・電気計測-今さら聞けない5つの落とし穴-
- ・太陽電池、光検出デバイスの外部量子効率特性の高感度・高速測定
- ・FIR vs. IIR ロックイン測定高速化のためのフィルタリング
- ・ナノ構造材料の微小信号測定の信頼性を上げる新たなアプローチ
- ・コモンモードノイズ干渉の影響を最小限に抑えるための実用的なガイド
- ・ナノ材料における量子ホール効果測定-M81型 ロックインアンプ搭載ソースメジャーユニットの使用
- ・M81型機能紹介⑤ ダイナミックレンジの大きなロックイン測定
- ・M81型機能紹介④ 1台でDC+ACロックイン測定
- ・M81型機能紹介③ オートレンジでのロックイン測定 その2
- ・M81型機能紹介② オートレンジでのロックイン測定 その1
- ・M81型機能紹介① ロックインアンプとは
- ・極低温プローブステーションにおける微小電流測定で考慮すべき点
- ・フレキシブル(CVT)プローブの効果
- ・VSM/AGMの原理・特長と磁性材料の評価
- ・ACホール測定の原理
- ・半導体の性能を測定する・新開発ホール測定システムレジテスト8400について
- ・磁石の高性能化に貢献 モーターの省電力化から、コンピュータの大容量化まで、幅広い産業分野の発展に
- ・高効率太陽電池をになう~キャリア濃度と移動度の測定~
技術資料
量子ドットデバイス集積化技術における微分コンダクタンス測定
目次
はじめに
量子ドットデバイスの集積化は次世代量子コンピュータにおける重要な課題とされています。
新たな量子デバイスの研究開発が活発に行われており、昨今ではある量子材料を用いたデバイスで、一基板内に複数のデバイスを形成し、56%のデバイスでクーロンダイヤモンド特性(※1)を観測することに成功したことで、大規模集積化の可能性が実証されました。
(※1 クーロンダイヤモンド特性とは、電子が1つずつ流れていることを示す量子ドットの基本特性で、ソースドレインにかける電圧と外部から印加するゲート電圧を掃引した際に、量子ドットを流れる電流の微分コンダクタンスがゼロとなる領域がダイヤモンド形状として現れる特性)
背景
量子デバイスの特性を評価するためには、極低温下(~2.2 K)での量子伝導特性の評価が必要です。 またそれ以外にさまざまな試験が必要となりますが、これまでは複数の試験に1台で対応できる計測器がなく、複数の異なる計測機器を使用し評価を行っていました。
東陽テクニカのご提案
東陽テクニカはLakeShore社製M-81の以下のような特長をご提案しました。
・ゲート印加、ソースドレイン電流の微分コンダクタンス測定を1台の装置+ソフトで制御を簡略化
・既存のDC測定に比べてローノイズ
・上記アプリと別に超伝導サンプルの低抵抗測定テーマがありモジュールの付替えで測定可能
活用頂いた試験内容は以下の通りです。
・ソース-ドレイン電圧印加:DCスイープ(0~300mV)+AC重畳、ロックイン電流測定
・ゲートバイアスを±40Vでステップ可変して同測定
・プローバーで温度可変+複数サンプル測定
・同一基板内サンプルの何割がクーロンダイヤモンドを示すか、より高温でもクーロンダイヤモンドをキープできるか評価
- 磁気測定
- ・磁気測定アプリケーション
- ・磁気測定方法
- ・ガウスメータ
- ・磁気測定全般
- 低温測定
- ・温度センサー
- ・温度コントローラ・モニタ
- ・その他(低温測定)
- ・極低温プローバー
- ・低温測定全般
- ・【森貴洋 博士、更田裕司 博士】(2)大規模集積量子コンピュータの実現に向けた シリコン集積デバイス工学の開拓
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