【 コラム / 野崎隆行 博士、山本竜也博士 】(3)電圧制御型磁気抵抗効果ランダムアクセスメモリ(VC...
半導体業界におけるSDGsの取り組みの一つとしてIT機器の更なる低消費電力化のために電力を消費せずに情報維持が可能な不揮発性メモリの開発が進められています。その技術の一つである磁気抵抗効果を用いたメモリ(MRAM)において消費電力の低減が可能なことで期待を集めている電圧制御方式(VC-MRAM)について、研究・開発を行われている国立研究開発法人産業技術総合研究所(産総研)新原理コンピューティング研究センターの研究チーム長 野崎隆行博士と研究員 山本竜也博士にご研究と評価技術について詳しくお話を伺いました。 *ご所属・肩書は取材当時のものです。
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