Nexceris(ネクスセリス / USA)

電解質サブストレートディスク

オンラインストア掲載製品

電解質のみのディスクで、自由に電極を付けてご利用できます。 独自にアノード/ カソードを塗布焼成して電解質支持型セルを作成できます。

株式会社東陽テクニカ 理化学計測部
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特長

サブストレートディスク

電解質のみのディスクで、自由に電極を付けてご利用できます。
Nexceris社独自の高性能マルチレイヤーの電解質ディスク "HionicTM" のほか、YSZ-8やGDCの単層ディスクを用意しています。
また直径、厚みのカスタマイズや、別の電解質材料のディスクの特注作成もご相談いただけます。
(※推奨特注数量:20枚以上)

サブストレート性能比較表

項 目 HionicTM YSZ-3 YSZ-8 ScSZ-6 ScSZ-10
強 度 高い 高い 低い 標準 低い
伝導性 高い 極低 低い 標準 高い

HionicTM ディスク

Nexceris社が独自に開発し、特許を取得したScSZベースのサブストレートディスクで、700~900℃域でのSOFCのアノード/カソード材料の研究に適しています。
異なる電極材料の微妙な違いを判別するため、高いイオン伝導性と成形性を有しています。

YSZディスク

YSZ-8(イットリア 8 mole%)のサブストレートディスクは、SOFCのアノード/カソードの材料や構造の開発に適しています。
YSZディスクは、アノード材料の不純物やサルファー(硫黄)耐性などの短期的な破壊試験、低コストが望まれる設計、低性能でも許容できる場合などに使用されます。
高性能のセルを希望される場合は、上記のHionicTM ディスクの使用をお奨めします。

GDCディスク

GDC-10をベースとしたサブストレートディスクで、高いイオン伝導性を有します。
(※ディスク表面に色ムラが見られる場合がありますが、性能に影響はありません。)

ラインアップ

電解質サブストレートディスク / Substrate Disks

型番 製品名 サイズ 厚み 備考
211201 HIONIC-2.0 HionicTM ディスク 20mm 直径 130~170 μm 50 個パックあり
211202 HIONIC-2.5 HionicTM ディスク 25mm 直径 130~170 μm 同上
211211 HIONIC-10 HionicTM 大型スクウェア 100mm × 100mm 130~170 μm 同上
211212 HIONIC-5 HionicTM 中型スクウェア 50mm × 50mm 130~170 μm 同上
211101 YSZ-2.0 YSZ ディスク 20mm 直径 250~300 μm 同上
211102 YSZ-2.5 YSZ ディスク 25mm 直径 250~300 μm 同上
211103 YSZ-3.2 YSZ ディスク 32mm 直径 250~300 μm 同上
211401 GDC10-2.0   サブストレートディスク 20mm 直径 250~300 μm  
211402 GDC10-2.5   サブストレートディスク 25mm 直径 250~300 μm  

事例紹介

サブストレートデイスクへのカレントコレクタ/ リード線の取付け方法(例)

下記は電解質サブストレートディスクに直接集電メッシュ(カレントコレクタ)を接着する場合の取付け方法の事例です。 完成セルへの電極への集電メッシュの接着とは異なる手順があります。

手順 作 業 工 程
Step1 金属メッシュを適切な面積/ サイズに切り出すか、パンチ抜きする。
Step2 リード線を必要な長さに切り、切り出した金属メッシュの周縁部を囲うように輪にして乗せる。
Step3 リード線のリング部にメタルインクを数滴垂らし、金属メッシュ越しに電極に接着させる。
Step4 電圧測定用のリード線を直線で切り出し、金属メッシュにメタルインクで接着する。
Step5 100℃のオーブンで1 時間、またはインクが見た目に乾くまで乾燥させる。
(ここまでの工程を表・裏でそれぞれ行う)
Step6 1℃/min で800℃まで加熱し、800℃で1 時間保持した後、室温まで戻す。
(急激な温度変化で熱膨張率の違いによる剥離などを防ぐため、緩めの温度勾配を推奨)