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FCE-PZ型 圧電体評価システム 

東陽テクニカ(強誘電体評価)
FCE-PZ型 圧電体評価システム
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本製品は製造終了となりました。

東陽テクニカの圧電特性評価システムは、FCE-1型強誘電体特性評価システムを核にして、それに様々な変位計・電圧増幅器・冶具オプションを組み合わせ、薄膜からバルクまで圧電評価が行えます。
薄膜の評価では、クローズドループ搭載 AFM(パシフィックナノテクノロジー社 Nano-R/I型)を変位計として使用します。その優れた分解能及びクローズドループポジョショニングの優位性において、変位1nm を高い再現性で測定することができます。
また、厚膜やバルクの高電圧印加での圧電歪変位測定も様々な変位計オプションを使用し行う事ができます。この他、赤外線センサ等の焦電評価も行えます。


(株)東陽テクニカ 理化学計測部
TEL:03-3245-1103
Email:keisoku[at]toyo.co.jp

特長

FCE-PZ型 測定項目  
1.分極ヒステリシス測定
・印加電圧:± 10V(オプションで± 10kVまで拡張可)
・周波数:FCE-1型;10mHz~1kHZ、
・測定電荷レンジ:5pC~50uC

2.分極ヒステリシス飽和特性自動測定
・分極ヒステリシス測定の印加電圧を自動変化。
・飽和特性グラフと全測定波形の重書きグラフを同時表示

3.歪変位測定(変位計オプションを使用)
・歪変位波形と分極ヒステリシス波形の重書き表示
・印加電圧、周波数仕様は分極ヒステリシス測定に同じ
・歪変位測定レンジ、分解能は変位計オプションに依存

4.圧電ヒステリシス測定オプション(AFMオプションを使用)
・圧電ヒステリシス波形と分極ヒステリシス波形の重書き表示
 (オプションにてCV 波形を重書き表示)

薄膜厚膜圧電評価

本製品は製造終了となりました。
AFM 使用。変位1nm以下の薄膜圧電素子のd33方向圧電変位評価
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・強誘電体特性評価システム
・クローズドループ搭載AFM(PNI社Nano-R型)
1nm前後の圧電歪変位をより高い再現性で測定
分極ヒステリシスと同時測定。サンプル特性を電気的特性からも評価
カンチレバーの捩れ・滑り等測定の再現性を妨げる要因をカット
(サンプル表面平坦部分にアクセスする事により達成。Nano-R型は簡単・正確なアクセスが可能)

上部電極面積を微少化(d31方向変位による誤差を軽減する為)しても測定可能
6インチウエハでの多点圧電変位測定AFM オプション
ランダムノイズ&電源ノイズキャンセルにより、より高い再現性を実現
薄膜厚膜圧電素子のd33方向圧電ヒステリシス評価
圧電ヒステリシスと分極ヒステリシスまたはCV同時測定が可能(d33方向)
・強誘電体特性評価システム
・ クローズドループ搭載AFM(パシフィックナノテクノロジー社Nano-R型)
圧電定数値を直接プロット

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アプリケーション

変位1nm以下の薄膜圧電素子のd33方向圧電変位評価
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強誘電体特性評価システム 
クローズドループ搭載AFM
(パシフィックナノテクノロジー社Nano-R型)
  • 1nm前後の圧電歪変位をより高い再現性で測定
    (厚さ1um以下のPZT膜等)
  • 分極ヒステリシスと同時測定
  • カンチレバーの捩れ・滑り等測定の再現性を妨げる要因をカット(サンプル表面平坦部分にアクセスする事により達成。Nano-R型は簡単正確にアクセス可能)
  • 上部電極面積を微少化 (d31方向変位による誤差を軽減する為)しても測定可能
  • 6インチウエハでの多点圧電変位測定AFMオプション
  • ランダムノイズ及び電源ノイズをキャンセル
    (強誘電体システム)
 
 
変位10nm 以下厚膜圧電素子のd33方向圧電変位評価
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強誘電体特性評価システム
ダブルビーム方式フリンジカウントレーザ変位計
  • 10nm前後の圧電歪変位をより高い再現性で測定
    (厚さ10um以下のPZT膜等)
  • 分極ヒステリシスと同時測定
  • サンプル上下面の両面から変位測定しその差を測定値とし、
    d31方向変位が原因の基板反りをキャンセル
 
 

 
薄膜圧電素子のd33方向圧電ヒステリシス評価
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強誘電体特性評価システム
クローズドループ搭載AFM
(パシフィックナノテクノロジー社 Nano-R型)
  • 圧電ヒステリシスと分極ヒステリシスまたは
    CV同時測定が可能(d33方向)
  • 圧電定数値を直接プロット可能
 
 
厚膜圧電素子のd31方向圧電評価
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  • チップ状サンプルのd31方向圧電歪変位と分極ヒステリシス同時測定
  • 変位計として面外フリンジカウントレーザ変位計を使用
    (変位量40nm以上)
  • AFMでは、変位波形の形状確認のみ可能
 
 
バルク圧電素子のd33/d31方向圧電評価
  • 高電圧印加圧電歪変位(~ 10kV)と分極ヒステリシス同時測定(d33方向)
  • 共振法評価(インピーダンスアナライザ使用)上下面圧電歪変位と
    分極ヒステリシス同時測定ダブルビーム・フリンジカウント
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