A10150型は、WX218xC、WX128xC、WS835x型 任意波形/ファンクションジェネレータと接続して、高速かつ高電圧波形を出力する専用オプションアンプです。
最大出力:16Vpp(50Ω負荷)/32Vpp(解放)、高速立ち上がり:2.6ns(10Vpp時@50Ω負荷)で、標準関数波形からユーザー定義の任意波形まで出力できます。
半導体/有機半導体の評価、各種センシングデバイスのフロントエンド試験、その他 高速かつ高電圧を要求されるアプリケーションに最適です。

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• WS8351,8352型 任意波形/ファンクションジェネレータ  ⇒ 詳細はこちら

導入例

■ OLED 発光効率測定（緩和時間測定）

パルス発光後の緩和時間を観測する事によりOLEDの発光効率特性を評価する事が出来ます。
パルス発光には、高速な立ち上がり/下がり特性を持ち、かつ十分な出力で印加できるジェネレータが要求されます。
WX2181C/A10160型シグナルジェネレータは、最大17V(1)、10nsの高速立上り/下がり(2)の波形を出力する事が可能で、 OLEDの発光効率特性を評価に最適です。

■OFET スイッチング試験

有機トランジスタのスイッチング特性を評価するには、高速な立ち上がり/下がり特性を持ち、かつ十分なゲート電圧で評価する必要があります。
WX2181C/A10150型シグナルジェネレータは、最大16V(3)、2.7nsの高速立上り/下がり(4)の波形を出力する事が可能で、 OFETのスイッチング試験に最適です。

■磁気メモリ(M-RAM)試験

磁気メモリ(M-RAM)の読み書き試験を行うには、高速な立ち上がり/下がり特性で 十分に印加できるパルスが必要です。
WX2181C/A10150型シグナルジェネレータは、最大16V、2.7nsの高速立上り/下がりの波形を出力する事ができます。また、シーケンス波形により、デバイスに切替ノイズ等を与えず任意のパルス列を連結して出力出来るので、動作試験に最適です。

入／出力特性

入力インピーダンス：

50Ω（差動SMA）

出力インピーダンス：

50Ω（BNC）

出力電圧：

0～16Vpp（50Ω負荷時）

ゲイン：

×5

周波数帯域（-3dB）：

dc～150MHz(10Vpp）

矩形波特性：

立ち上がり／下がり ：2.6ns@10Vpp

アベレーション：

＜10％（10Vpp）

出力保護：

ショート状態で10秒未満

その他

本体寸法：

高3.0cm×幅4.5cm×奥85.0cm （突起部を除く）

重さ：

本体約115g（ACアダプタを除く）

電源：

ACアダプタ

規格：

EN61010-1、CEマーク取得

付属品：

ACアダプタ