直流電源装置で電力供給を行う際、対象の負荷が必ずしも安定した負荷とは限りません。 　インバーター、DC/DCコンバータ、DCモーターなどの負荷は大きなリップル成分を持つ ことが多く、スイッチングタイプの直流電源装置でこれらの負荷に電力供給する場合には 予期せぬ問題が発生することがあります。本記事では大きなリップル成分を持つ負荷を扱う 際に、外付けキャパシタを用いて問題を回避する方法について紹介しています。

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電気自動車や燃料電池車などの普及で、高圧車載電装品を安全に開発・評価することは近年における 重要な課題の1つです。LV123規格は欧州の自動車メーカを中心に策定された高圧車載電装品（60-1500V） に対する試験項目が記述されています。近年では、LV123を参考に国際標準規格ISO7637-4も策定 されており、世界的に高圧車載電装品に対する試験の需要が急増しています。本記事では、双方向直流電源 PSBシリーズを用いて、高電圧・高スルーレートが求められるLV123規格試験を低コスト・省スペースで 実施する方法を紹介しています。

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直流電源装置でDCモーターやファンなどの誘導性負荷に電力を供給する場合や、バッテリーの充電試験を行う場合などは、高電圧スパイクや電流の逆流などにより電源装置が故障する恐れがあります。本記事ではダイオードを使用して直流電源装置を保護する方法について紹介しています。

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電源装置を使用してDUT（測定対象のデバイス）に電流を流すと、電線の抵抗により電圧降下が生じます。この電圧降下が原因で対象のデバイスに目的の電圧を印加できずシステムがうまく動作しないことがあります。本記事では電線による電圧降下の計算方法と、電圧降下を補正するためのリモートセンスについて紹介しています。

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バッテリーは現在、電気自動車や蓄電システムなどに幅広く利用されています。 当社では大容量のバッテリー充放電試験の分野において、EA-ElecktroAutomatik社の双方向直流電源を用いて、テストエンジニアがテスト効率を簡素化し、より高い費用対効果を得られるような新しい提案を行っています。

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ナノインデンターの機能として、動的荷重を用いることで硬度・ヤング率の深さプロファイルを取得することが可能です。本稿ではこの技術の肝である連続剛性測定法(CSM)の基本原理について解説します。

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測定の目的に応じて適切な圧子を選択することは大切です。当社では主に6種類の異なる形状の圧子を提供しています。 バーコビッチ ビッカース キューブコーナー 円錐 球 フラットパンチ

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ナノインデンターでは平坦な試料面への押し込み試験が従来多く行われてきました。しかし、より製品に近い形態では試験面が傾いている場合が考えられます。そこで、斜面への押し込み試験を実施した場合に、測定結果であるヤング率と硬度にどのような影響を及ぼすかを検討しました。

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ナノインデンテーション法の規格であるISO14577に準拠した押し込み試験により求められるパラメータについて解説します。

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M470はic-SECM (intermittent contact-Scanning ElectroChemical Microscopy: 間欠接触走査型電気化学顕微鏡)能力を搭載する市場で唯一の市販走査型電気化学顕微鏡です。ウォーリック大学 1,2 と共同で開発された革新的な手法によってSECMまたはac-SECM測定の間にサンプルのトポグラフィを追跡でき、これによってプローブ先端で測定された電気化学反応へのトポグラフィの影響を取り除くことができます。この手法についての詳細は、Bio-Logicウェブサイト 3 のチュートリアルまたは紹介映像 4 を参照してください。 本書はM470ソフトウェアでic-SECMが動作する方法についてさらなる洞察を与え、等高SECMと比較してic-SECMを使用した際の大きな恩恵を示す結果をいくつか紹介します。

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エネルギ蓄積はSECMアプリケーションの成長しつつある関心分野です。本書ではこの分野におけるSECM使用の1つの特定例を説明します。ac-SECMはSion Power社によって提供された電池電極の電気化学活性およびトポグラフィを調査するのに使用されてきました。 この測定はPC (propylene carbonate: プロピレン・カーボネート)のTBA-ClO 4 (tetrabutylammonium perchlorate: 過塩素酸テトラブチルアンモニウム)で行われました。

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本書はSKP手法の能力の概略です。ここで被覆欠陥の4つの異なる領域を撮像することができます。 M470がSKPモードで設定され、欠陥亜鉛被覆がTriCell TM に取り付けられて水平にされました。タングステン・プローブがサンプル表面から約100μm以内に置かれ、システムが信号を自動調整するように設定されました。これでユーザがロックイン・アンプ調整を行う必要がなくなります。その後、ステップサイズ100μmで、6 x 6mm²にわたってスイープスキャン・エリアマップ実験が行われました。

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本書はSKP手法の能力の概略です。ここで被覆欠陥の4つの異なる領域を撮像することができます。 M470がSKPモードで設定され、欠陥亜鉛被覆がTriCell TM に取り付けられて水平にされました。タングステン・プローブがサンプル表面から約100μm以内に置かれ、システムが信号を自動調整するように設定されました。これでユーザがロックイン・アンプ調整を行う必要がなくなります。その後、ステップサイズ100μmで、6 x 6mm²にわたってスイープスキャン・エリアマップ実験が行われました。

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ic-SECMはウォーリック大学によって開発された比較的最近の手法で、SECM測定の間にサンプルのトポグラフィが追跡されるのを可能にします。[1] ic- SECMを使用すると、プローブからサンプルまでの距離を大きなエリアで維持することができ、サンプルの勾配の影響を取り除くだけでなく、大きなトポグラフィ特徴を持つサンプルを測定することにも役立ちます。M470はユーザがdc-およびac-SECM測定の両方でic手法を実行するのを可能にします。本書の目的は、大きなトポグラフィ特徴を持つサンプルの測定におけるic手法の使用を実証することです。これは以下の4つのサンプルを使用して実証されます。

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電気化学インピーダンス分光法(EIS)の測定は、電流制御より電圧制御によって実施することが一般的です。ほとんどの場合電流制御と電圧制御は等価であり、特に電流振幅と電圧振幅が等しい場合、測定結果は一致します。ただし、特定の条件においてこれら2つの手法で異なる結果が得られることがあります。本章ではそのような条件について説明します。

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EC-Labソフトウェアでは、次のようないくつかの方法で腐食電流を測定することができます。 　• Stern法(Tafel Fit) 　• SternおよびGeary法 　• VASP (VASP Fit) 　• CASP (CASP Fit) これら4つの異なる方法が、金属の一般的な腐食電流の測定(酸化剤の物質移動によって制限される場合)に使用できることを示します。

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電気化学測定に対する電圧降下の影響は、アプリケーションノート27で説明しています。本書では、電圧降下が存在するときに腐食電流が測定された場合に発生する誤差を示します。

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インピーダンスのナイキスト線図に半円が示されていて、その中心がX軸上ではなく実軸より下にある場合などは、コンデンサの代わりにコンスタント・フェーズ・エレメント(CPE)を使用する方が便利です。同様に、改良型インダクタンスLaを使用すると、インピーダンスデータをはるかにうまく近似できる実際的事例をいくつか紹介します。

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電池や腐食反応のような電気化学系は、時間に対して不変であることはほとんどありません。経時変化する系で測定したインピーダンススペクトルに対して等価回路解析を行うと、誤った解釈が得られる恐れがあります。本章では、経時変化する可変抵抗を備えた等価回路を用いて、誤った解釈に至る例を2つ示します。

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EC-Labソフトウェア v11.00以降では、LevichおよびKoutecký - Levich分析ツールを利用できます。Levichの関係を使用すると、電気活性種の拡散係数を特定できます。また、Koutecký-Levich分析を行うと、反応の標準定数および対称性因子を特定できます。

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