ホール効果測定,比抵抗測定,抵抗測定,ホール測定,ゼーベック測定,熱電能測定
  ホール電圧/比抵抗測定システム
 半導体材料の比抵抗とホール効果を測定し、キャリアタイプ、キャリア濃度、ホール移動度を求める装置です。
ホール効果・比抵抗測定装置Resi Test（レジテスト） > オプション







システムオプション  

磁気抵抗測定オプション
・ 磁気依存特性を持った材料の、ホール効果以外の様々な磁気抵抗特性の測定が可能になります。
・ 試料に磁場を印加した状態で、比抵抗測定が可能。磁場を掃引しながら比抵抗の変化を観測できます。
・ 磁場の大きさを変えてホール測定をおこない、ホール係数の磁場依存性を測定できます。
磁場を掃引しながらホール抵抗の変化も観測でき、磁場に対するヒステリシスが見られます。
・ 試料の取り付け角度を変えることで、横磁気抵抗、縦磁気抵抗の測定が可能。
またプレーナーホール効果も観測できます。

 
熱電能測定オプション
・ 熱電能（ゼーベック係数）の測定が可能です。極低温から高温まで、幅広く熱電能を観測できます。
ホール測定用の試料ホルダー部分を、温度勾配のある熱電測定専用ホルダーに交換します。
・ 温度に対する熱電能のプロット図が作成でき、本体のホール測定装置で測定可能な比抵抗やキャリア濃度の温度依存性データと照合して、材料の熱電特性をさらに深く考慮することができます。
・ REF型、LN型、VHT型の試料ホルダに適合する熱電能測定専用試料ロッドが付きます。
・ ソフトウェアには電極材料として使用されている銀や白金の熱起電力成分を補正する機能があり、結果として絶対熱起電力が得られます。

 
ゲートバイアス印加オプション
・ FETを形成した半導体試料に対し、ゲートバイアスを与え、その変化に対する比抵抗やホール電圧の変化を観測することができます。
・ ゲートバイアスを与える電圧ソースから流れ出す電流を測定しているので、絶縁膜のリークの状態を観測することができます。
・ 6端子オプション付きの試料ホルダが対応します。


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