温度センサ,低温測定,温度コントローラ,温度制御,低温物性,極低温,温度センサー
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 3.2Kまで冷却能力を持った極低温プローバーシステム。縦方向(2.5T)、横方向(1T)の磁場発生、ロードロック等多彩なオプションを用意しております。
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温度センサー/シリコンダイオード

ダイオード温度計 DT-670シリーズ 仕様
  特長 仕様 オーダーインフォメーション
標準カーブ Curve DT-670
推奨駆動電流 10μA ± 0.1%
最大逆方向電圧 60V
最大電流 1mA 連続、100mA パルス
消費電力(推奨値) 16μW@4.2K、10μW@77K、5μW@300K
温度応答時間 SD:< 10ms@4.2K、100ms@77K、200ms@305K
BR: 1ms@4.2K、13ms@77K、20ms@305K
放射線下 低レベルの放射線下の使用のみ推奨可
磁場中 60K以下での使用は推奨しない。60K以上の温度領域でかつ5T以下の磁場中であれば磁場の影響は少ない。
再現性1 ± 10mK@4.2K
1 短期の再現性は305K から4.2Kへの温度衝撃を与えて測定したもの。
使用温度範囲
  低温側リミット 高温側リミット
DT-670-SD
1.4K
500K
DT-670E-BR
1.4K
500K
高温側リミットはパッケージに依存します。
校正後の確度
  センサーの確度2
(ティピカル)
長期安定性3
1.4K
± 12mK
4.2K
± 12mK
10 mK
10K
± 12mK
77K
± 22mK
40 mk
300K
± 32mK
25 mk
500K
± 50mK
2 [(校正の不確かさ)2 +(再現性)20.5詳細は別途資料参照のこと
3 長期安定性のデータは305Kから4.2Kへの温度衝撃を200回与えて測定したもの。


標準カーブ DT-670 の許容誤差(バンド)
  2 ~ 100K 100 ~ 305K 305 ~ 500K
Band A
± 0.25K
± 0.5K
± 0.5K
Band A1
± 0.25K
± 1.5%
± 1.5%
Band B
± 0.5K
± 0.5K
± 0.33%
Band B1
± 0.5K
± 1.5%
± 1.5%
Band C
± 1K
± 1K
± 0.50%
  30 ~ 100K 100 ~ 305K 305 ~ 500K
Band D4
± 0.25K
± 0.30K
± 0.10%
Band E4
± 0.25K
± 0.25%
± 0.25%
4 温度 < 30K±1.5

温度応答特性
  DT-670
電圧(V)
dV/dT(mV/K)
1.4K
1.64
-12.5
4.2K
1.58
-31.6
10K
1.38
-26.8
77K
1.03
-1.73
305K
0.56
-2.3

使用素材等
  質量 リード線 極性 使用素材
DT-670-SD 37mg コバール線2本。表面はニッケルと金でメッキされている。 センサーのリードをユーザーに向けて見たとき、正極は右側。 ボディと蓋がアルミナ、基板がサファイア。基板と蓋の表面はモリブデンとマンガンによるメタライゼーション、ニッケルと金によるメッキ。ハーメチックシールは金スズによる半田である。
DT-670E-BR
(ベアチップ)
72.7μg なし 正極はチップの底面、負極はチップ上面の(トランジスタの)ベース電極。 電極部をアルミニウムでメタライゼーションしたシリコンチップ

磁場によるΔ T/T (%)5
磁束に対してパッケージの底面が平行
温度(K) 1T 2T 3T 4T 5T
4.2
-200
-300
-350
-400
-500
20
-10
-20
-25
-30
-40
40
-4
-6
-8
-10
-12
60
-0,5
-1
-2
-3
-3.5
80
<0.1
-0.5
-0.8
-1.1
-1.5
300
<-0.1
<-0.1
< 0.1
<-0.1
<-0.1
磁束に対してパッケージの底面が垂直
温度(K)
1T
2T
3T
4T
5T
4.2
-8
-9
-11
-15
-20
20
-4
-5
-5
-5
-10
40
-1.5
-3
-4
-5
-5.5
60
-0.5
-0.7
-0.8
-1
-1.1
80
-0.1
-0.3
-0.5
-0.6
-0.7
300
<0.1
0.2
0.5
0,6
0.6
5 センサーの底面を磁束に対して垂直に位置させると磁場による誤差を抑制できる。これはダイオードに流れる電流が磁束と平行になるからである。


Curve DT-670温度応答カーブ
標準カーブCurve DT-670許容誤差範囲

DT-670シリーズの温度応答データ