温度センサ,低温測定,温度コントローラ,温度制御,低温物性,極低温,温度センサー
  低温物性システム・低温センサ・温度コントローラ・温度モニタ
 3.2Kまで冷却能力を持った極低温プローバーシステム。縦方向(2.5T)、横方向(1T)の磁場発生、ロードロック等多彩なオプションを用意しております。
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温度センサー/ゲルマニウム抵抗温度計 GRシリーズ

 
  特長 仕様 オーダーインフォメーション
標準カーブ なし
推奨駆動電圧1 20μV(0.05K ~ 0.1K);
63μV(0.1K~1K);
10mV以下(T>1K)
自己発熱 10-13W@0.05K、10-7W@4.2K(型式に依存する)
(推奨駆動電圧使用時)
温度応答時間 200ms@4.2K、3s@77K
放射線下での使用 使用可
磁場中での使用 磁場強度および磁場到来方向による影響を大きく受けることがある
再現性2 4.2Kにおいて±0.5mK
1 低温(T < 1K)での推奨値はレイクショアで校正に使用している370型ACブリッジの値をもとにしている
2 再現性(短期再現性)の値は305Kから4.2Kのサーマルショックの結果
使用温度範囲3
  低温側リミット 高温側リミット
GR-200A
< 0.05K
100K
GR-200B
1K
100K
3 ティピカル
校正後の確度

  センサーの確度4
(ティピカル)
長期安定性5
1.4K
± 4mK
4.2K
± 4mK
± 1mk
10K
± 5mK
77K
± 16mK
± 10mk
4 [(校正の不確かさ)2 +( 再現性)20.5
5 長期安定性の値は200回のサーマルショックの結果です(305K~77K)
磁場による誤差6 Δ T/T(%)
GR
温度(K) 2.5T 8T 14T
2
2.9
3.8
3.7
30
0.2
0.2
0.3
78
< 0.1
< 0.1
0.17
300
-0.1
-0.1
-0.1
6 センサーの長軸方向に磁場を与えた場合
抵抗値(ティピカル)
GR-200
A or B
ティピカル抵抗値
@4.2K
推奨する
使用温度範囲
-30
20Ω~40Ω
0.05K~1K
-50
40Ω~70Ω
0.1K~1.2K
-100
50Ω~150Ω
0.3K~1.6K7
-250
100Ω~350Ω
0.5K~2.0K7
-500
350Ω~750Ω
1.0K~30K7
-1000
750Ω~1300Ω
1.4K~30K7
-1500
1300Ω~2000Ω
1.4K~30K7
-2500
2000Ω~3000Ω
4.0K~30K7
7 校正温度の上限は100Kです
温度応答カーブデータ表(ティピカル)
温度
(K)
GR-200A-30 GR-200A-50 GR-200A-100
抵抗
(Ω)
dR/dT
(Ω/K)
(T/R)
(dR/dT)
抵抗
(Ω)
dR/dT
(Ω/K)
(T/R)
(dR/dT)
抵抗
(Ω)
dR/dT
(Ω/K)
(T/R)
(dR/dT)
0.05K
25670
-3.5E+07
-6.8
0.1K
2109
-620000
-2.8
146100
-8430000
-6.2
0.2K
346.3
-3297
-1.9
3099
-67600
-4.4
0.3K
172.3
-891.8
-1.6
734.5
-6930
-2.8
23120
-390000
-5.2
0.5K
85.69
-205.4
-1.2
244.5
-801
-1.6
3281
-20700
-3.2
1.0K
42.41
-36.14
-0.85
98.43
-108
-1.1
534.4
-1150
-2.1
1.4K
32.37
-17.68
-0.76
70.08
-46.5
-0.93
276.4
-353
-1.8
2.0K 25.69 -7.316 -0.57 51.43 -20.9 -0.82
154.1
-116
-1.5
4.2K
18.41
-1.411
-0.32
29.47
-5.09
-0.73
58.24
-16.7
-1.2
10K
15.07
-1.18
-0.78
19.49
-2.49
-1.3
40K
5.587
-0.133
-0.95
4.164
-0.128
-1.2
77.4K
100K

 
温度
(K)
GR-200A-250 GR-200A-500 GR-200A-1000
抵抗
(Ω)
dR/dT
(Ω/K)
(T/R)
(dR/dT)
抵抗
(Ω)
dR/dT
(Ω/K)
(T/R)
(dR/dT)
抵抗
(Ω)
dR/dT
(Ω/K)
(T/R)
(dR/dT)
0.5K
29570
-221000
-3.7
1.0K
3161
-8450
-2.7
1.4K
1376
-2220
-2.3
8257
-19400
-3.3
21480
-55400
-3.6
2.0K
660.1
-624
-1.9
2848
-3900
-2.7
6674
-9930
-2.9
4.2K
198.9
-68.9
-1.6
520
-245
-1.9
1054
-526
-2.1
10K
54.51
-8.22
-1.5
88.41
-19.5
-2.2
170.9
-38.4
-2.2
40K
8.871
-0.303
-1.4
5.723
-0.243
-1.7
8.289
-0.399
-1.9
77.4K
3.811
-0.054
-1.1
2.231
-0.032
-1.1
2.919
-0.044
-1.2
100K
2.969
-0.025
-0.84
1.751
-0.014
-0.78
2.257
0.018
-0.82
 

温度
(K)
GR-200A-1500 GR-200A-2500
抵抗
(Ω)
dR/dT
(Ω/K)
(T/R)
(dR/dT)
抵抗
(Ω)
dR/dT
(Ω/K)
(T/R)
(dR/dT)
1.4K
25630
-64200
-3.5
76450
-213000
-3.9
2.0K
8246
-11900
-2.9
21190
-35200
-3.3
4.2K
1377
-668
-2.1
2476
-1510
-2.6
10K
238.1
-50.5
-2.1
212.4
-69.9
-3.3
40K
14.21
-0.671
-1.9
6.959
-0.283
-1.6
77.4K
5.011
-0.078
-1.2
2.917
-0.036
-0.96
100K
3.846
-0.033
-0.85
2.366
-0.015
-0.63
使用素材等
  質量 リード線 内部雰囲気 センサーの材質
GR-200A
AAパッケージ
395mg
4色に色分けされたポリイミドをコートしたリン青銅線。センサーにはエポキシで折り曲げ防止管が取り付けられている。 ヘリウム4(4He)
500Ω以上、
空気500Ω未満
容器は金メッキされた円柱状銅管。その中にドープされたゲルマニウムチップがひずみを受けない方法で取り付けられている。
GR-200B
Bパッケージ
197mg
4色に着色されたポリイミドをコートしたリン青銅線。センサーにはエポキシでストレインリリーフが取り付けられている。 ヘリウム4(4He)
500Ω以上、
空気500Ω未満
容器は金メッキされた円柱状銅管。その中にドープされたゲルマニウムチップがひずみを受けない方法で取り付けられている。

1K以下のGR-200Aセンサーの正しい選択法
従来から、ゲルマニウム抵抗温度センサーは4.2Kにおける抵抗でクラス分けされてきました。しかし、1K以下で使用される場合、4.2Kでの抵抗値と温 度センサーとしての素子の安定性には相関関係がありません。そのため、レイクショアが提供する低抵抗のゲルマニウム抵抗温度センサー(GR-200A- 30、GR-200A-50、GR-200A-100 、GR-200A-250)は4.2Kにおける抵抗値ではなく、その使用可能な最低温度でクラス分けしています。
この抵抗値と温度の関係はすべてのゲルマニウムセンサーに共通した特徴です。温度が低下するにつれて抵抗と感度(dR/dT)の値は指数関数的に上昇します。使用可能な最低温度は急激な抵抗の上昇と抵抗測定の困難さの双方が問題となるところで決まります。
以下のリストはこれらのセンサーを使用する際に推奨する温度範囲を表しています。
  GR-200A-30 0.05K ~ 1.0K
  GR-200A-50 0.10K ~ 1.2K
  GR-200A-100 0.3K ~ 1.6K
  GR-200A-250 0.05K ~ 2.0K
上に掲載した高温側の温度は、1mKの温度の不確かさに相当する0.1%の抵抗測定ができるところです。低温になればなるほど温度分解能が向上します。上 に掲載した低温側の温度では、センサーの抵抗は1kΩから100kΩになります。高温側の感度を悪化させるので必要以上に最低使用温度の低いセンサーは選 ばないようにしてください。例えばGR-200A-100はGR-200A-50やGR-200A-30より1Kにおける感度が高くなっています。
GR-200シリーズの内部構造
1K以下での性能に支障をきたさないようにゲルマニウムデバイスが金属管に接触しない構造になっています。
リード線をユーザー側に向けて見た図です。

電極
W
I+
G
V-
Y
V+
B
I-
CD パッケージ