温度センサー

シリコンダイオード DTシリーズ

1.4Kから500Kの一般的な低温の実験に最適です。温度対出力電圧の特性が標準温度カーブに沿っているのでセンサー間の交換性があります。放射線中で使用する場合は他のセンサーをご検討ください。

1.4Kから500K の範囲で使用できます。シリコンダイオードより磁場の影響を受けにくく、また、より高い感度（25K以下にて）を持ちます。このセンサーには校正が必要です。

30Kから800Kの範囲で一定した感度を示します。70K以上では標準温度カーブに沿うのでセンサー間の交換性があります。レイクショアでは独自に14Kから校正したセンサーを用意しています。

1.4Kから400Kの範囲で高い温度安定性と放射線に対する高い耐性を持ち、100K以上では直線的な温度応答特性を示します。77K以下の温度では磁場中での使用はお勧めしません。このセンサーには校正が必要です。

セラミックスの薄膜抵抗センサーです。このセンサーは温度応答時間が速く、また熱サイクルや強い磁場、放射線の照射といったストレスに高い耐性があります。また様々な形状のパッケージが用意されています。使用温度範囲は0.1Kから325Kです。HTセルノックスは特別に420Kまで使用できるモデルです。

0.05Kから30Kの温度範囲で高い確度が得られます。いくつかのモデルは100Kまで使用できます。放射線に対する耐性がありますが、磁場中での使用はお勧めしません。

磁場の影響を受けにくい、酸化ルテニウムグラス厚膜抵抗センサーです。4種類のモデルの内、1種類のモデルは10mKまで使用できます。

磁場の影響を受けないので1Kまでの温度で強磁場下の温度コントロールに理想的なセンサーです。あらかじめゼロ磁場中で別のセンサーを使って温度を測定しておく必要があります。キャパシタンスセンサーはコントロールのみを目的として使用します。

使用温度範囲が広くそして高温まで一定の感度を持ちます。安価で標準カーブもありますが、センサーの設置状況の影響を受けやすいので他のセンサーより確度が低下します。

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