強誘電体評価システム
リチウムイオン電池、燃料電池、太陽電池等、各種電池の評価から、
有機ELや液晶等の物性評価まで幅広く対応できる計測・評価システムを
供給しています。
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強誘電体メモリアプリケーション
微少キャパシタ分極ヒステリシス測定（FCE-1/1A型）
FeRAM １セル強誘電体キャパシタ測定。プロービングにクローズドループ搭載AFM を使用。- In-Situ や低温での微少キャパシタ強誘電体分極評価も十分可能
- ローノイズのバーチャルグランドQV変換器（電荷から電圧に変換）及びIV 変換器（電流から電圧に変換）を自社開発。
- 分極測定時QV 変換器を使用、サンプルの分極電荷をQV 変換器のフィードバック回路中のコンデンサで直接捕獲し電圧出力。演算不要で正確。
FeRAM（DRAMタイプ）の諸特性を評価（FCE-2/2A型）
◆FCE-2 型にて以下のFeRAM の諸特性を測定
・分極ヒステリシス測定
・1fA 分解能リーク電流測定
・20usecPUND パルス分極測定
・減極PUND パルス分性測定（パルス間隔1s 以上）
・10MHz 分極疲労特性
・インプリント特性
・リテンション特性
・シーケンス機能
◆周波数1MHz ～ 10MHz での疲労矩形波時は、測定系のインピーダンスマッチングを考慮
自動多点測定
オートプローバ
オートプローバ・セミオートプローバと連動し、ウエハ上のサンプルを順次自動測定
- AFM オートプロービング
パシフィックナノテクノロジー社Nano-R 型AFM はオートプロービングが可能。電極面積1um2 以下のキャパシタを順次自動測定
- 8ch ファティーグアンプ
8 個のサンプルを同時に疲労させ、測定は順次行います。各チャンネルにバッファアンプ搭載しているため、1 台の強誘電体テスタからの出力波形を8chに分技しサンプルに印加可能（立上が時間が遅くなりません）
FeRAM（DRAMタイプ）の高速波形分極特性評価（FCE-HS1/2型）
- 広帯域QV 変換器を開発。初めて高速分極波形測定を実現。
- 広帯域QV 変換器を装備したFCE-HS型にて以下を評価
最小パルス幅20nsecPUND パルス分極測定
最高周波数10MHz での分極ヒステリシス測定
上記2 種の自動飽和特性評価
パルス列分極特性評価
分極ヒステリシス周波数依存所銅測定
- 計測系のインピーダンスマッチングを考慮
- プロービング部分のグラウンディングを配慮
- 1MHz 以上の分極ヒステリシス測定では、電圧測定と電荷測定の位相差を補正
1TrFeRAMのリテンション特性測定 （FCE-RET型）
FET 型（1Tr 型）強誘電体メモリのリテンション特性（データ保持特性）を評価するシステムです。
・2 端子サンプルの容量対時間特性評価＆ CV 特性評価
・3 端子サンプルのドレイン電流対時間特性評価
・ゲートへの書き込み／消去パルス列の最小パルス幅は20nsec
・上記は任意のパルス列が印加可能
・計測系はインピーダンスマッチングを考慮
・2 端子サンプルの容量対時間特性評価＆ CV 特性評価
・3 端子サンプルのドレイン電流対時間特性評価
・ゲートへの書き込み／消去パルス列の最小パルス幅は20nsec
・上記は任意のパルス列が印加可能
・計測系はインピーダンスマッチングを考慮
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