
強誘電体評価システム
リチウムイオン電池、燃料電池、太陽電池等、各種電池の評価から、
有機ELや液晶等の物性評価まで幅広く対応できる計測・評価システムを
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FCE-PZ型 圧電体評価システム
FCE-PZ型測定項目
- 1.分極ヒステリシス測定
- ・印加電圧:± 10V(オプションで± 10kVまで拡張可)
- ・周波数:FCE-1型;10mHz~1kHZ、
- ・測定電荷レンジ:5pC~50uC
- 2.分極ヒステリシス飽和特性自動測定
- ・分極ヒステリシス測定の印加電圧を自動変化。
- ・飽和特性グラフと全測定波形の重書きグラフを同時表示
- 3.歪変位測定(変位計オプションを使用)
- ・歪変位波形と分極ヒステリシス波形の重書き表示
- ・印加電圧、周波数仕様は分極ヒステリシス測定に同じ
- ・歪変位測定レンジ、分解能は変位計オプションに依存
- 4.圧電ヒステリシス測定オプション(AFMオプションを使用)
- ・圧電ヒステリシス波形と分極ヒステリシス波形の重書き表示
(オプションにてCV 波形を重書き表示)
概要
東陽テクニカの圧電特性評価システムは、FCE-1型強誘電体特性評価システムを核にして、それに様々な変位計・電圧増幅器・冶具オプションを組み合わせ、薄膜からバルクまで圧電評価が行えます。
薄膜の評価では、クローズドループ搭載 AFM(パシフィックナノテクノロジー社 Nano-R/I型)を変位計として使用します。その優れた分解能及びクローズドループポジョショニングの優位性において、変位1nm を高い再現性で測定することができます。
また、厚膜やバルクの高電圧印加での圧電歪変位測定も様々な変位計オプションを使用し行う事ができます。
この他、赤外線センサ等の焦電評価も行えます。
薄膜の評価では、クローズドループ搭載 AFM(パシフィックナノテクノロジー社 Nano-R/I型)を変位計として使用します。その優れた分解能及びクローズドループポジョショニングの優位性において、変位1nm を高い再現性で測定することができます。
また、厚膜やバルクの高電圧印加での圧電歪変位測定も様々な変位計オプションを使用し行う事ができます。
この他、赤外線センサ等の焦電評価も行えます。
薄膜厚膜圧電評価
AFM 使用。変位1nm以下の薄膜圧電素子のd33方向圧電変位評価
・強誘電体特性評価システム
・クローズドループ搭載AFM(PNI社Nano-R型)
◆1nm前後の圧電歪変位をより高い再現性で測定・クローズドループ搭載AFM(PNI社Nano-R型)
◆分極ヒステリシスと同時測定。サンプル特性を電気的特性からも評価
◆カンチレバーの捩れ・滑り等測定の再現性を妨げる要因をカット
(サンプル表面平坦部分にアクセスする事により達成。Nano-R型は簡単・正確なアクセスが可能)
◆上部電極面積を微少化(d31方向変位による誤差を軽減する為)しても測定可能
◆6インチウエハでの多点圧電変位測定AFM オプション
◆ランダムノイズ&電源ノイズキャンセルにより、より高い再現性を実現
薄膜厚膜圧電素子のd33方向圧電ヒステリシス評価
◆圧電ヒステリシスと分極ヒステリシスまたはCV同時測定が可能(d33方向)
・強誘電体特性評価システム
・ クローズドループ搭載AFM(パシフィックナノテクノロジー社Nano-R型)
◆圧電定数値を直接プロット
・ クローズドループ搭載AFM(パシフィックナノテクノロジー社Nano-R型)

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